硅晶圆

硅晶圆

光学硅晶圆是以高纯度单晶硅为基底，通过半导体工艺（如光刻、离子注入、薄膜沉积等）制造的光子集成核心基板，核心特性在于兼容CMOS工艺与高折射率对比度。利用绝缘体上硅（SOI）结构，可在晶圆表面加工出亚微米级光波导、调制器、探测器等光子元件，实现光信号的高效传输、调控与转换。其优势包括：成本低、可大规模生产；支持光子与电子器件的异质集成，推动高速光通信、数据中心互连及硅光芯片发展；在近红外波段（如1310/1550 nm）具有低传播损耗（＜0.5 dB/cm），应用于激光雷达（如Velodyne LiDAR的光学天线阵列）、量子计算（IBM光子量子处理器中的光量子比特操控单元）及生物传感（Illumina基因测序仪的光学检测模块）。

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	直径(inch)	厚度(μm)	晶向	导电类型
	筛选重置 2 4 6 8	筛选重置 275-1000	筛选重置 <100> <110> <111>	筛选重置 N/P
更多参数+ 收回	2	275-1000	<100>	N/P
硅晶圆，直径2"，<100>方向产品编码：PSiWA2001 直径(inch)：2 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	2	275-1000	<110>	N/P
硅晶圆，直径2"，<110>方向产品编码：PSiWA2002 直径(inch)：2 厚度(μm)：275-1000 晶向：<110> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	2	275-1000	<111>	N/P
硅晶圆，直径2"，<111>方向产品编码：PSiWA2003 直径(inch)：2 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	4	275-1000	<100>	N/P
硅晶圆，直径4"，<100>方向产品编码：PSiWA4001 直径(inch)：4 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	4	275-1000	<110>	N/P
硅晶圆，直径4"，<110>方向产品编码：PSiWA4002 直径(inch)：4 厚度(μm)：275-1000 晶向：<110> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	4	275-1000	<111>	N/P
硅晶圆，直径4"，<111>方向产品编码：PSiWA4003 直径(inch)：4 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	6	275-1000	<100>	N/P
硅晶圆，直径6"，<100>方向产品编码：PSiWA6001 直径(inch)：6 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	6	275-1000	<110>	N/P
硅晶圆，直径6"，<110>方向产品编码：PSiWA6002 直径(inch)：6 厚度(μm)：275-1000 晶向：<110> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	6	275-1000	<111>	N/P
硅晶圆，直径6"，<111>方向产品编码：PSiWA6003 直径(inch)：6 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	8	275-1000	<100>	N/P
硅晶圆，直径8"，<100>方向产品编码：PSiWA8001 直径(inch)：8 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：硅导电类型：N/P 直径公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30

材料数据表Material Data
光学特性Optical Properties
透过范围Transmission Range	1.2-15μm
折射率Refractive Index	3.41776%@10μm
反射损耗Reflection Loss	46.1%@10μm
结构Structure	Single crystal,synthetic
解离面Cleavage Planes	<111>
物理特性Physical Properties
密度Density[g/cm3]	2.33
熔点Melting Point [℃]	1414
热导率ThermalConductivity [W/(m×K)]	163 @ 313K
热膨胀系数Thermal Expansion [10-6/K]	2.6 @ 293K
努氏硬度Knoop Hardness [kg/mm2]	1100
比热容Specific Heat Capacity [J/(kg×K)]	712.8
介电常数Dielectric Constant	13 @f= 9.37GHz
杨氏模量Young's Modulus (E) [GPa]	130.91
剪切模量Shear Modulus(G) [GPa]	79.92
体积模量Bulk modulus(K) [GPa]	101.97
泊松系数Poisson Coefficient	0.266
化学特性Chemical Properties
溶解度Solubility / g/L	None
分子量Molecular Weight / g/mol	28.09

技术参数

材料数据

透过率

应用领域

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