锗晶圆

锗晶圆

锗晶圆是以高纯度单晶锗为基底，通过切割、抛光和镀膜等工艺制成的光学与半导体基板，其核心特性在于宽红外透光性（2-14 μm波段）和高载流子迁移率。利用锗的低带隙（0.67 eV）与高折射率（~4.0），可加工红外透镜、窗口及光电探测器，适用于热成像、夜视设备及太空望远镜。在半导体领域，锗晶圆用于高频电子器件和高效多结太阳能电池。相较于硅，锗在中远红外波段透光率超90%，但脆性较高，需结合抗反射镀膜提升耐用性。随着太赫兹技术和硅-锗异质集成发展，锗晶圆或将在自动驾驶激光雷达、量子传感及红外光子集成电路中发挥更关键作用。

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	直径(inch)	厚度(μm)	晶向	导电类型
	筛选重置 2 4 6 8	筛选重置 275-1000	筛选重置 <100> <111>	筛选重置 N/P
更多参数+ 收回	2	275-1000	<100>	N/P
锗晶圆，直径2"，<100>方向产品编码：PGeWA2001 直径(inch)：2 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	2	275-1000	<111>	N/P
锗晶圆，直径2"，<111>方向产品编码：PGeWA2002 直径(inch)：2 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	4	275-1000	<100>	N/P
锗晶圆，直径4"，<100>方向产品编码：PGeWA4001 直径(inch)：4 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	4	275-1000	<111>	N/P
锗晶圆，直径4"，<111>方向产品编码：PGeWA4002 直径(inch)：4 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	6	275-1000	<100>	N/P
锗晶圆，直径6"，<100>方向产品编码：PGeWA6001 直径(inch)：6 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	6	275-1000	<111>	N/P
锗晶圆，直径6"，<111>方向产品编码：PGeWA6002 直径(inch)：6 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	8	275-1000	<100>	N/P
锗晶圆，直径8"，<100>方向产品编码：PGeWA8001 直径(inch)：8 厚度(μm)：275-1000 晶向：<100> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30
更多参数+ 收回	8	275-1000	<111>	N/P
锗晶圆，直径8"，<111>方向产品编码：PGeWA8003 直径(inch)：8 厚度(μm)：275-1000 晶向：<111> 基底材料：锗导电类型：N/P 长度公差(mm)：±0.2 厚度公差(μm)：±10 定向公差：±1° 电阻(Ω.cm)：10-1000 总厚度偏差TTV(μm)：<10 弯曲度BOW(μm)：<30 翘曲度WARP(μm)：<30

材料数据表Material Data
光学特性Optical Properties
透过范围Transmission Range	2-15μm
反射损耗Reflection Loss	4.0028@10.6μm
吸收系数Absorption Coefficienet	1.3×10-3@3.8μm 3×10-2@10.6μm
结构Structure	Cubic Crystal System
解离面Cleavage Planes	<111>
物理特性Physical Properties
密度Density[g/cm3]	5.33
熔点Melting Point [℃]	936
热导率ThermalConductivity [W/(m×K)]	58.61 @ 293K
热膨胀系数Thermal Expansion [10-6/K]	6.1 @ 298K
努氏硬度Knoop Hardness [kg/mm2]	780
比热容Specific Heat Capacity [J/(kg×K)]	310
介电常数Dielectric Constant	16.6 @9.37 GHz
杨氏模量Young's Modulus (E) [GPa]	102.7
剪切模量Shear Modulus(G) [GPa]	67
体积模量Bulk modulus(K) [GPa]	77.2
泊松系数Poisson Coefficient	0.28
化学特性Chemical Properties
溶解度Solubility / g/L	Inoluble
分子量Molecular Weight / g/mol	72.61

技术参数

材料数据

透过率

应用领域

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