锗晶圆是以高纯度单晶锗为基底,通过切割、抛光和镀膜等工艺制成的光学与半导体基板,其核心特性在于宽红外透光性(2-14 μm波段)和高载流子迁移率。利用锗的低带隙(0.67 eV)与高折射率(~4.0),可加工红外透镜、窗口及光电探测器,适用于热成像、夜视设备及太空望远镜。在半导体领域,锗晶圆用于高频电子器件和高效多结太阳能电池。相较于硅,锗在中远红外波段透光率超90%,但脆性较高,需结合抗反射镀膜提升耐用性。随着太赫兹技术和硅-锗异质集成发展,锗晶圆或将在自动驾驶激光雷达、量子传感及红外光子集成电路中发挥更关键作用。
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